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EL452-G包含一個(gè)紅外發(fā)光二極管,與高 -壓達(dá)林頓光電晶體管進(jìn)行光學(xué)耦合。它封裝在4針小外形SMD封裝中。
在線客服
產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品特性


?高收集發(fā)射極電壓(VCEO=350V)


?電流傳輸比(CTR:IF=1mA VCE=2V時(shí)的最小1000%)


?輸入和輸出之間的高隔離電壓(Viso=3750 V rms)


?無鉛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。


其他應(yīng)用



?低功耗邏輯電路


?電信設(shè)備


?便攜式電子設(shè)備


?不同電位和阻抗的接口耦合系統(tǒng)


了解更多 


規(guī)格

產(chǎn)品  數(shù)據(jù)表               包裹        作用

通道數(shù)

 尺寸(毫米)

IF(毫米)BVCEO(最?。╒)VCE(SAT)(最大)(V)CTR(%)
tr(us)tF(us)Topr(最?。╠egC)頂部(最大)(degC)總計(jì)(Vrms)
EL452-GSOP4達(dá)林頓晶體管14.4x4.1x213501.5>10008010-551103750

 

















































































































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?高收集發(fā)射極電壓(VCEO=350V)


?電流傳輸比(CTR:IF=1mA VCE=2V時(shí)的最小1000%)


?輸入和輸出之間的高隔離電壓(Viso=3750 V rms)


?無鉛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。


其他應(yīng)用



?低功耗邏輯電路


?電信設(shè)備


?便攜式電子設(shè)備


?不同電位和阻抗的接口耦合系統(tǒng)


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通道數(shù)

 尺寸(毫米)

IF(毫米)BVCEO(最小)(V)VCE(SAT)(最大)(V)CTR(%)
tr(us)tF(us)Topr(最?。╠egC)頂部(最大)(degC)總計(jì)(Vrms)
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